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| 2012-03-12 | Diodes新MOSFET超越“能源之星”标准 Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，让反激式电源设计师能以MOSFET替换低效率的肖特基整流器，作为理想驱动二极管。同时，ZXGD3105N8还能使机顶盒取得少于100mW的待机功耗，以及逾87%的满载效率。 |
| 2012-02-23 | IR新增成员IR3551扩PowIRstage系列 IR推出IR3551以扩充PowIRstage集成式器件系列，新器件特别适合下一代服务器、台式电脑、显卡及通信系统应用,其最大工作点达到50A，非常适合高端处理器及DDR内存多相位解决方案。 |
| 2012-02-13 | 瑞萨推肖特基势垒二极管RJS6005TDPP 瑞萨推肖特基势垒二极管RJS6005TDPP |
| 2011-10-19 | ST发布高压整流器STPS60SM200C 意法半导体（ST）推出新款高压肖特基整流二极管，有助于提高电信基站和电焊机等设备的效能和稳健性。 |
| 2011-06-30 | Diodes 针对汽车应用推出超势垒整流器 Diodes 公司推出首款针对汽车应用的超势垒整流器系列。与同类肖特基或超快二极管相比，该系列器件拥有更低的正向电压降、改善了雪崩额定值以及更高的安全运行区（SOA）。 |
| 2011-06-17 | Vishay势垒肖特基整流器新增12成员 Vishay势垒肖特基整流器新增12成员 |
| 2010-12-31 | Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列 Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列 |
| 2010-12-03 | POWDEC开发出GaN类功率二极管 POWDEC开发出GaN类功率二极管 |
| 2010-10-15 | Diodes推出DIOFET器件DMS301xSSS Diodes公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS和DMS3015SSS器件适用于同步降压负载点(PoL)转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效率，同时降低大批量计算、通信及工业应用中快速开关负载点转换器的工作温度。 |
| 2010-09-21 | 三菱电机将SiC应用于空调逆变器，提前量产SiC MOSFET 三菱电机在将于2010年10月下旬推出的空调压缩机用逆变器中，采用了碳化硅制造的肖特基势垒二极管。三菱电机表示，采用SiC的功率半导体被面向普通消费者的产品采用，尚属“全球首次”。SiC的实用化将从消费类产品开始。 |
| 2010-08-17 | 飞兆推出升压转换器FDZ3N513ZT 随着手机市场的持续发展，以及智能电话的使用率和市场增长不断上升，设计人员面临着在总体设计中增加功能性，但同时需要减小外形尺寸和元件数目的挑战。为了应对客户需求和发展趋势，飞兆半导体开发出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT。 |
| 2010-07-27 | Inter action开发出用于太阳能电池的肖特基势垒二极管和快恢复二极管 Inter action开发出用于太阳能电池的肖特基势垒二极管和快恢复二极管 |
| 2010-07-02 | 如何设计高效率的降压转换器 使用开关稳压器的降压转换器具有所有转换器当中最高的效率。高效率意味着转换过程中的能量损耗更少，而且能简化热管理。“同步降压”指的是MOSFET用作低边开关。相对应的，标准降压稳压器要使用一个肖特基二极管作为低边开关。与标准降压稳压器相比，同步降压稳压器的主要好处是效率更高，因为MOSFET的电压降比二极管的电压降要低。 |
| 2010-04-14 | 安森美推出带集成肖特基二极管的30V产品NTMFS4897NF/NTMFS4898NF/NTMFS4899NF 安森美推出带集成肖特基二极管的30V产品NTMFS4897NF/NTMFS4898NF/NTMFS4899NF |
| 2009-08-21 | E安森美半导体推出业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管 E安森美半导体推出业界最小封装、最佳空间性能的肖特基势垒二极管 |
| 2009-05-11 | Diodes高压SBR整流器缩减电源应用占位面积并提升功率密度 Diodes公司推出高压超势垒整流器 (Super Barrier Rectifier，简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装，具有卓越的超低热阻，使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积，实现双倍的功率密度。 |
| 2009-04-14 | SiC功率半导体元件开始商品化，电源工程师提建议 材料使用SiC(碳化硅)的功率半导体元件正式开始商品化。目前已有多家半导体厂商推出了肖特基势垒二极管，在高性能电源装置中，该元件已成为不可或缺的元件。 |
| 2009-03-02 | 英飞凌推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管 英飞凌推出第三代thinQ! SiC肖特基二极管 |
| 2009-02-27 | 意法半导体推出新型碳化硅肖特基二极管，可在开关操作中降低能耗 意法半导体推出新型碳化硅肖特基二极管，可在开关操作中降低能耗 |
| 2009-02-24 | IIC-China 2009参展商介绍：韦尔半导体股份有限公司 韦尔半导体股份有限公司成立于2006年06月。韦尔的目标是不断研发高性能模拟和混合信号集成电路来为客户的电子产品提供更高的价值。韦尔目前有5条产品线：背光驱动，音频功放，MOS，二极管含肖特基和用于静电放电防护的TVS，电源管理含单片直流 - 直流转换器、线性稳压器等。 |
| 2009-01-09 | ROHM推出超小级别的二极管封装KMD2肖特基势垒二极管 ROHM推出超小级别的二极管封装KMD2肖特基势垒二极管 |
| 2008-12-26 | Micrel具宽输入范围整合开关和肖特基二极管的升压调节器MIC2605/6 Micrel具宽输入范围整合开关和肖特基二极管的升压调节器MIC2605/6 |
| 2008-12-18 | Vishay推出20V n通道功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK Vishay推出20V n通道功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK |
| 2008-12-08 | UMPC和MID的电源系统设计挑战及解决方法 更小的尺寸、更多的功能、更高的集成度以及移动特性使得UMPC和MID产品对电源系统的性能、功耗、保护及IC尺寸等方面都提出了全新的要求。UMPC和MID产品需要向处理器、存储器、显示器和其它部分提供不同的工作电压，以减少处理器消耗的电量，延长电池的运行时间，并提高电池的供电效率。本文将从UMPC和MID中的处理器、存储器、显示器这几个方面着手对其电源系统设计进行深入探讨。 |
| 2008-11-28 | 飞兆发布超薄MicroFET产品FDMA1027，适合便携应用 飞兆半导体公司推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P沟道PowerTrench MOSFET，FDFMA2P853则是20V P沟道PowerTrench MOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封装。相比低电压设计中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55%、高度降低50%。 |
| 2008-11-25 | Intersil推出24V、2A降压PWM稳压器ISL8500 Intersil公司日前宣布，推出高性能的24V、2A的降压PWM稳压器ISL8500，为各种负载点应用提供了简单实用的电源解决方案。ISL8500内的PWM控制器可驱动一个内部的N通道功率MOSFET，利用一个外部的肖特基二极管使MOSFET产生0.6V～19V的输出电压。 |
| 2008-11-14 | 凌力尔特发布仅需8.5uA静态电流超低功率升压转换器LT8410/-1 凌力尔特公司推出 LT8410/-1 低噪声微功率升压型转换器，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和逆向电压保护二极管、以及输出断接电路，采用 2mm x 2mm DFN 封装。LT8410/-1 使用一种独特的设计方法，仅需要 8.5uA 静态电流，在停机时进一步降低至 0uA。 |
| 2008-10-15 | 凌力尔特推出适用TFT-LCD应用的5通道输出单片开关稳压器LT3513 凌力尔特(Linear Technology)日前发表LT3513，其为一款采用5mm x 7mm QFN封装的五组输出切换稳压器。LT3513所拥有的4.5V至30V输入电压范围，使其成为广泛TFT-LCD应用的理想选择，包括汽车、工业及未稳压的墙式变压器系统。 |
| 2008-09-22 | 英联电子发布600mA高效同步升压型DC-DC转换器UM3433 英联电子推出600mA高效同步升压型DC-DC转换器UM3433。UM3433非常适用于使用单节、双节或三节碱性、镍镉或镍氢电池或者单节锂离子或锂聚合物电池供电的PMP、医疗仪器、数码相机等便携式产品，能够在输出高精度电压的条件下提供100mA(由单节AA电池)或者250mA(由两节AA电池)电流。 |
| 2008-08-21 | 安森美针对便携应用推出新微封装的晶体管和二极管系列 安森美针对便携应用推出新微封装的晶体管和二极管系列 |
