什么是CMOS?
| CMOS：互补性氧化金属半导体CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别，主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电） 和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。然而，CMOS的缺点就是太容易出现杂点, 这主要是因为早期的设计使CMOS在处理快速变化的影像时，由于电流变化过于频繁而会产生过热的现象。 | |
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| 2012-04-01 | Dialog台积携手开发0.13微米BCD技术 Dialog半导体公司与台积公司日前共同宣布：携手开发下一世代的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS，双极–互补金属氧化半导体–双重扩散金属氧化半导体)技术，提供移动产品更高效能的电源管理芯片。 |
| 2012-03-15 | 盛群发布同步整流直流升压IC HT77xxS 盛群半导体采用精心调整过的CMOS制程，HT77xxS的启动电压只需0.7V，静态工作电流亦只需要4μA。此特性适合在单颗的碱性、镍氢、镍镉及锂离子电池的产品应用上。 |
| 2012-03-14 | 盛群HT70xxA-2电压检测器精确度达±1% 盛群推出的电压检测器IC HT70xxA-2系列，是采用CMOS技术制造的三脚位电压检测器。 该系列的电压检测器提供8种电压检测规格选择，其外编xx代表检测电压规格，范围从2.2V到8.2V，每种规格都能达到±1%检测电压精确度。 |
| 2011-12-19 | 电源设计小贴士36：讨论DDR 内存的电源 传统上，逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时，而双倍数据速率 (DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过速度翻了一倍，且系统功耗增加极少。 |
| 2011-11-02 | IDT推出全球首款超低功耗±50 ppm CMOS振荡器 IDT推出全球首款超低功耗±50 ppm CMOS振荡器 |
| 2011-10-20 | Vishay推出新款CMOS模拟开关和多路复用器 Vishay推出新款CMOS模拟开关和多路复用器 |
| 2011-09-29 | 特瑞仕LNA附带ON/OFF功能 特瑞仕半导体推出采用CMOS 工艺、附带ON/OFF 功能、用于GPS 的小型放大器LNA(低噪声放大器)的3 种产品。XC2406、XC2407、XC2408是附带ON/OFF功能、用于1.6GHz的GPS的LNA。 |
| 2011-09-07 | IDT全球首款支持5GbpsUSB 3.0 控制器的CMOS振荡器量产 IDT全球首款支持5GbpsUSB 3.0 控制器的CMOS振荡器量产 |
| 2011-07-04 | Vishay推出尺寸极小的新款低压模拟开关 Vishay 宣布，推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关。这些器件具有低工作电压和低导通电阻，采用小尺寸miniQFN封装，可在空间受限的便携式终端产品中用于音频、SIM卡和多功能信号切换。 |
| 2011-06-10 | 安森美五款超小封装LDO线性稳压器面市 安森美半导体推出五款超小封装的低压降(LDO) 线性稳压器，强化用于智能手机及其他便携电子应用的现有产品阵容。这些新器件基于互补金属氧化物半导体(CMOS)技术，均能提供150毫安(mA)的输出电流。 |
| 2011-03-09 | 比亚迪携电源类芯片闪亮IIC 在本次IIC-China展会上，比亚迪微电子带来了IGBT、DC-DC、AC-DC等一系列电源管理产品系列以及多个CMOS图像传感器产品及解决方案。 |
| 2010-12-23 | 宏力0.18um电压可调CDMOS制程及其对应的设计工具包 上海宏力半导体制造有限公司(宏力半导体)近日发布了国内首个适用于模拟集成电路和电源管理集成电路的0.18微米电压可调CDMOS(CMOS、LDMOS及高压Bipolar)制程。 |
| 2010-12-10 | Intel与IQE开发出多栅极III-V族半导体沟道FET，业界领先 最近，Intel和美国IQE共同开发出了多栅极构造的III-V族半导体沟道FET。提高了沟道控制性，与平面构造的III-V族半导体沟道FET相比，S因子及DIBL等特性得到改善。这是英特尔设想在预计采用多栅极构造的15～11nm以后的CMOS中导入III-V族半导体沟道所取得的成果。 |
| 2010-11-05 | GaN器件开始侵食硅功率MOSFET市场 EPC推出了增强型GaN功率晶体管，其硅基GaN技术建立于150mm晶圆的标准硅CMOS工艺。该公司CEO指出，其产品最潜在的市场机遇是替换硅功率MOSFET。 |
| 2010-09-01 | 影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素 影响CMOS单电源放大器的THD+N性能的因素 |
| 2010-08-31 | 英联电子推出双通道模拟开关UM5223 英联电子最新推出UM5223，是面向便携设备音频，电源，通讯信号切换的一个双通道模拟开关，使能控制端可以兼容CMOS与TTL逻辑电平。可广泛应用于手机、PDA、GPS等消费类电子市场实现音频信号，低中速数据信号的复用和切换以及电源的分配。 |
| 2010-08-24 | 英联电子推出四通道模拟开关UM3670 英联电子最新推出UM3670，是面向便携设备I/O通讯，存储控制，通讯信号切换的一个四通道模拟开关，使能控制端可以兼容CMOS与TTL逻辑电平。 |
| 2010-08-12 | Diodes推出逻辑产品74LVCE1Gxx系列 Diodes公司推出旗下首款单栅极逻辑产品阵营。其74LVC1Gxx系列采用先进的5V CMOS技术，性能比现有的同类产品更为出色，该系列为用户提供八个最受欢迎的标准逻辑功能并设有SOT25和SOT353两种封装选择。74LVCE1Gxx系列则是提供相同功能的74LVC1Gxx进阶版。 |
| 2010-07-05 | 电压基准芯片的参数解析及应用技巧 电压基准芯片是一类高性能模拟芯片，常用在各种数据采集系统中，实现高精度数据采集。几乎所有电压基准芯片都在为实现“高精度”而努力。但是要在各种不同应用场合真正实现高精度，需要了解电压基准的内部结构，各项参数的涵义，并要掌握一些必要的应用技巧。本文介绍安肯微电子公司设计的一款低功耗，低输入输出压差的CMOS带隙基准电压芯片ICN25xx系列及其应用技巧。 |
| 2010-06-17 | Maxim发布16通道高压SPST开关MAX14805/MAX14806 Maxim推出第三代230V开关：16通道、高压SPST开关MAX14805/MAX14806。每款器件均具有两组8通道，分别由两个逻辑输入控制，简化开关操作，提高设计灵活性。Maxim专有的HVCMOS技术将高压双向DMOS开关与低功耗CMOS逻辑相结合，有效控制高压模拟信号。此外，MAX14806还集成了40kΩ放电电阻，用于压电传感器等容性负载放电。 |
| 2010-06-01 | 哪里来的噪声？ 自上市以来，CMOS单电源放大器就让全球的单电源系统设计人员受益非浅。影响双电源放大器总谐波失真加噪声(THD+N)特性的主要因素是输入噪声和输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能源于放大器的输入和输出级。然而，输入级对THD+N的影响又让单电源放大器的这种规范本身复杂化。 |
| 2010-02-25 | 激发电子学兴趣的方法：电子制作 对于有志成为工程师的人来说，面临的障碍之一是“许多计划开发的项目都要求太高”。这些项目需要特殊的且通常来说是难以得到的器件、设计的实际困难太多、对布局和组件放置要求苛刻、需要相对昂贵的工具和测试设备来查找故障，几乎无法观测所开发系统的性能…… |
| 2009-01-25 | 特瑞仕半导体推出了附带电压检测功能的电压调整器 特瑞仕半导体株式会社推出了附带电压检测功能且耐压达到28V 的电压调整器。 |
| 2009-12-17 | TSMC模组化 BCD工艺，可用于生产高电压整合LED驱动IC TSMC日前推出模组化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工艺，将可为客户生产高电压之整合LED驱动集成电路产品。 |
| 2009-10-14 | 安森美针对数字及混合信号ASIC推出0.18微米的ONC18工艺 安森美半导体扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18微米CMOS工艺技术。 |
| 2009-10-08 | 新兴公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器 新兴公司推出首款用于3G的CMOS功率放大器 |
| 2009-09-02 | 精工电子发布CMOS电压稳压器S-1142系列 精工电子发布CMOS电压稳压器S-1142系列 |
| 2009-08-07 | ROHM开发超低消耗电流类型和高速响应类型的CMOS运算放大器系列 ROHM开发超低消耗电流类型和高速响应类型的CMOS运算放大器系列 |
| 2009-07-27 | 意法半导体庆祝Nano2012框架协议正式启动 意法半导体和法国电子信息技术实验室CEA-LETI宣布，法国经济、工业和就业部长，以及国家和地区政府的代表、CEA-LETI和意法半导体的管理层，齐聚法国格勒诺布尔（Grenoble）市的Crolles分公司，共同庆祝Nano2012研发项目正式启动。 |
| 2009-05-31 | 让CMOS集成高压功能，ESD障碍须克服 让CMOS集成高压功能，ESD障碍须克服 |
