MOS相关技术术语
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| 2011-06-17 | Vishay势垒肖特基整流器新增12成员 日前，Vishay宣布，推出12个具有三种功率封装的45V器件，这些器件具有10A～60A的宽电流等级，扩充了其TMBS? Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器在10A时具有0.33V的极低典型正向压降，针对在太阳能电池接线盒中用作提供保护功能的旁路二极管进行了优化。 |
| 2011-04-29 | TOREX推出XC9242/3系列降压同步整流DC/DC转换器 TOREX推出输出电流为2A 的降压同步整流DC/DC转换器XC9242/XC9243系列产品,其内置晶体管的导通电阻非常小，能高效率而稳定地提供高达2A的输出电流。对应陶瓷电容、内置0.11Ω (TYP.)P沟道MOS驱动晶体管及0.12Ω (TYP.)N沟道MOS开关晶体管。 |
| 2011-01-21 | Vishay推出4款TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器 Vishay推出4款TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器 |
| 2010-11-23 | 手机充电管理设计要点及主流方案解析 虽然目前市面上的手机品牌众多，但其充电回路大致相同，都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右，因此能轻松实现开关控制。另外，MOS管是电压型控制器件，相对三极管而言，功耗也小很多。本文介绍了三种常见的手机充电电路设计方案。 |
| 2009-02-24 | IIC-China 2009参展商介绍：韦尔半导体股份有限公司 韦尔半导体股份有限公司成立于2006年06月。韦尔的目标是不断研发高性能模拟和混合信号集成电路来为客户的电子产品提供更高的价值。韦尔目前有5条产品线：背光驱动，音频功放，MOS，二极管含肖特基和用于静电放电防护的TVS，电源管理含单片直流 - 直流转换器、线性稳压器等。 |
| 2009-02-16 | IGBT基础教程：第一部分---选型(上) 要找到你需要的IGBT，在作出选择前你需要做一个权衡。绝缘栅双极晶体管（ IGBT ）将MOS栅极易驱动性和低传导损耗结合在一起，并正在迅速取代功率双极晶体管作为高电流和高电压应用设备的选择。艰难的在开关速度和导通损耗之间权衡，这种境况现在正被很好的转变，IGBT正在蚕食高频率，高效率的功率MOSFET领地。事实上，行业的趋势是在除了非常低电流的应用以外，用IGBT取代功率MOSFET。 第1部分可以帮助您了解权衡与选择IGBT器件，并且相对容易的概述IGBT技术及应用。 第2部分提供了一个例子详细的介绍了IGBT的资料信息。 |
| 2008-08-13 | 提高IR2151和IR2152在镇流器应用中的抗锁定能力 IR2151和IR2152是按照电子灯镇流器的要求设计的高压控制集成电路。这些器件包括类似于流行的CMOS555定时电路的振荡器和高压半桥MOS门极驱动电路。其它功能有控制IC和灯的启动，给高端和低端的门极驱动输出提供1.2μs的死区时间。IR2151和IR2152的不同点仅在它们的振荡器输出到门极驱动输出的相位关系上。 |
| 2008-08-12 | 功率驱动集成电路中自举元件的选择 Vbs(驱动电路Vb 和Vs 管脚之间的电压差)给集成电路高端驱动电路提供电源。该电源电压必须在10-20V之间，以确保驱动集成电路能够完全地驱动MOS栅极器件(MGT)。IR公司的部分驱动集成电路有 Vbs欠压保护，当Vbs电压下降到一定值时(见数据表中Vbsuv)，将关闭高端驱动输出，这保证了MGT不会在高功耗下工作。 |
| 2008-05-05 | 富鼎先进新推200KHz同步整流降压转换器APU1855 富鼎先进(APEC)的APU1855是一款采SOP-8封装，具备低成本、高效率、200KHz的同步整流降压转换器，内建一High-Side N-MOS且输出电流可提供至5Amp。又具有500mA峰值输出电流的能力给Low-Side MOS。透过恒定频率电压模式架构，可操作于宽范围的输入电压范围。 |
| 2008-05-04 | 富鼎先进推出同步整流降压转换器APU1853 富鼎先进(APEC)的APU1853是一款采SOP-8封装，具备低成本、高效率、200KHz的同步整流降压转换器，内建一High-Side N-MOS且输出电流可提供至3Amp。又具有500mA峰值输出电流的能力给Low-Side MOS。透过恒定频率电压模式架构，可操作于宽范围的输入电压范围。 |
| 2008-04-29 | 富鼎先进推出同步整流降压转换器APU1852 富鼎先进(APEC)推出APU1852同步整流降压转换器，内建一High-Side N-MOS且输出电流可提供至2Amp，是应用于DDR Memory、Graphic Card、Hard Disk Drive、DC-DC Converter的理想选择。 |
| 2008-04-25 | 富鼎先进推出同步整流降压转换器APU1862 富鼎先进(APEC)推出APU1862，一款采SOP-8封装，具备低成本、高效率、400KHz的同步整流降压转换器，内建一High-Side N-MOS且输出电流可提供至2Amp，又具有500mA峰值输出电流的能力给Low-Side MOS。 |
| 2008-02-02 | NEC新推7款小型功率MOS场效应管，面向便携式应用 NEC新推7款小型功率MOS场效应管，面向便携式应用 |
| 2008-01-04 | 罗姆开发出小型高功率沟道型MOS场效应管及300A SBD 罗姆开发出小型高功率沟道型MOS场效应管及300A SBD |
| 2007-10-18 | IR新推600V单通道栅极驱动器系列，融合多种保护功能 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新一代600V高压集成电路(HVIC)。这个600V单通道栅极驱动器系列IRS212x适用于低、中和高压马达控制应用以及不同电路拓扑，包括三相转换器、H-桥，和其它采用MOS栅极功率组件的拓扑。 |
| 2007-05-25 | 基于Sipex Powerblox系列的DC/DC变换器设计 介绍Sipex公司推出的集成了MOS管和同步整流管的降压型PWM regulator—Powerblox系列的特性，描述了Powerblox系列在视频压缩PCI卡上的应用。给出了供电系统的设计方案和参考电路。 |
| 2007-03-21 | 功率MOSFET基础知识 让初级工程师掌握功率MOSFET的基础知识。 |
| 2007-02-26 | 应对高耗电量大挑战，英特尔45nm工艺采用全新high-k与金属闸材料 英特尔(Intel)上周首度披露了其45纳米工艺技术细节，新工艺将采用high-k材料制作晶体管闸极电介质，另外，晶体管闸极电极也将采用全新的金属材料组合来制作。英特尔逻辑技术开发部资深研究院士Mark Bohr称，这种high-k＋金属闸的组合“是自1960年代多晶硅闸MOS晶体管问世以来，晶体管技术的最大变革，可确保摩尔定律再延续到未来10年。” |
| 2007-01-12 | VISHAY新推TMBS及平面肖特基整流器，采用SMPC封装 日前，Vishay Intertechnology Inc.推出采用新式微型封装的槽沟式金氧肖特基(Trench MOS Barrier Schottky, 简称TMBS)与平面肖特基整流器，这些器件凭借较小的尺寸以及处理100V、12A 电流的能力，可实现高电流密度的电源设计。 |
| 2006-09-19 | 新日本无线NJU76XX系列稳压器面向便携设备应用 新日本无线日前开始6种降压式C-MOS型稳压器IC NJU76XX系列产品的样品供货。该系列产品具有体积小、效率高、消耗电流低等特点，适用于便携式设备及逻辑电源等。 |
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