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MOSFET相关文章 |
| 2009-10-08 |
MagnaChip推出8种600V MOSFET |
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近日，MagnaChip半导体最新推出8种600V电力金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此次推出的电力用金氧半场效晶体管实用于LCD TV, LCD显示屏及电脑等产品。MagnaChip首次尝试开发制造600V高压场效应管。 |
| 2009-09-25 |
Fairchild推出RDS(ON)低于1 mOhm的30V MOSFET器件FDMS7650 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封装，型号为 FDMS7650。 |
| 2009-09-16 |
Vishay推出低导通电阻新型20V P沟道功率MOSFET |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款业界最低导通电阻的新型20V P沟道功率MOSFET——SiB457EDK，这是以往1.6mm×1.6mm占位面积的P沟道器件所不曾实现的。 |
| 2009-08-28 |
飞兆半导体推出新一代600V超级结MOSFET-SupreMOS |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS新一代600V超级结MOSFET系列产品。 |
| 2009-08-27 |
IR推出基准工业级30V MOSFET |
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国 际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列获得工业认证的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，为不间断电源 (UPS) 逆变器、低压电动工具、ORing应用和网络通信及和服务器电源等应用提供非常低的栅极电荷 (Qg) 。 |
| 2009-08-21 |
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET |
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ。 |
| 2009-08-18 |
IR推出150V和200V MOSFET，为工业应用提供极低的闸电荷 |
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国际整流器公司（International Rectifier，简称IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，为开关模式电源（SMPS） 、不断电系统 （UPS）、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 （Qg）。 |
| 2009-08-04 |
飞兆推出单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ |
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飞兆半导体公司 (Farichild Semiconductor)为智能电话、手机、上网本、医疗和其它便携式应用的设计人员带来一款单一P沟道MOSFET器件FDZ197PZ，能够实现更高的效率水平和更小的外形尺寸。 |
| 2009-07-31 |
Vishay推出新款500V功率MOSFET系列产品 |
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日 前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET——SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。 |
| 2009-07-14 |
恩智浦推出全球首款低于1毫欧、采用Power SO8封装的MOSFET |
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恩智浦半导体宣布推出全球首款N通道、1毫欧以下25V MOSFET产品，型号为PSMN1R2-25YL，它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数。 |
| 2009-07-02 |
Diodes推出新型MOSFET半桥器件，优化直流风扇及逆变器设计 |
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Diodes公司推出四款半桥MOSFET 封装，为空间受限的应用减少了元件数量和PCB尺寸，极大地简化了直流风扇和 CCFL 逆变器电路设计。 |
| 2009-06-24 |
英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET |
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英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。 |
| 2009-06-23 |
MagnaChip公司发布500V高压MOSFET |
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新MagnaChip半导体有限公司，宣布推出七个高压MOSFET产品，宣告正式全面进入功率半导体市场。 |
| 2009-06-23 |
英飞凌宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列 |
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英飞凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流开关模式电源（譬如面向全球市场的台式机和计算机服务器装备的电源）的同步整流的理想选择。 |
| 2009-06-15 |
Vishay推出IGBT/MOSFET驱动器VO3120/50A |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已有的光耦产品线。 |
| 2009-05-15 |
IR推出增强型25V及30V MOSFET，适用于负载点同步降压转换器应用 |
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国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出一系列新型25V及30V N通道沟道HEXFET功率MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。 |
| 2009-05-12 |
飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50%的RDS(ON) |
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飞 兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50% 的RDS(ON) 和出色的品质因数 (figure of merits, FOM)，有效提高电源设计的效率。 |
| 2009-05-07 |
IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET，提供基准效率和更高电流额定值 |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻 (RDS(on)) 和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具、工业电池及电源应用。 |
| 2009-05-05 |
Vishay推出双P沟道功率MOSFET SiA921EDJ |
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日 前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有两个20V P沟道的第三代TrenchFET功率MOSFET——SiA921EDJ，其导通电阻是目前所有双P沟道器件当中最小的，所采用的热增强 PowerPAK SC-70封装的占位面积只有2mm×2mm。 |
| 2009-05-04 |
Allegro推出全桥式MOSFET预驱动器A4940 |
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Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障诊断和报告功能的新款全桥式MOSFET预驱动器 IC ，扩展其现有全桥式控制器系列。 |
| 2009-04-24 |
飞兆为便携应用推出具有业界最低RDS(ON)的20V MicroFET MOSFET |
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飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。 |
| 2009-04-14 |
士兰微电子推出原边控制开关电源SD4851，内置高压MOSFET |
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继SD484X系列绿色电源控制器成功推出之后，杭州士兰微电子公司即将推出内置700伏高压MOSFET的原边控制、带线损补偿和峰值电流补偿功能的高端无光耦开关电源控制器——SD4851。 |
| 2009-03-20 |
飞兆发布FDMA1024NZ和FDMA410NZ双N沟道和单N沟道MOSFET器件 |
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飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 双N沟道和单N沟道MOSFET器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。 |
| 2009-03-13 |
运用自钳位MOSFET提高电动工具系统可靠性 |
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本文简述了电动工具控制器的工作原理，详细分析了电动工具中MOSFET的功率损耗以及线路引线电感对MOSFET开关波形的影响，并重点介绍了自钳位MOSFET应用于电动工具驱动电路设计时应注意的问题。 |
| 2009-03-11 |
Vishay推出20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET Si7137DP |
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技术的首款器件 --- Si7137DP，该 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封装，具备业内最低的导通电阻。 |
| 2009-02-23 |
ST最新MDmesh V功率MOSFET，实现业内最低的单位芯片面积导通电阻 |
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功 率半导体产品的全球领导者意法半导体宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻。MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用紧凑型功率封装，使能效和功率都达到业内领先水平。这些产品的目标应用是以小尺寸和低能耗为诉求 的功率转换系统。 |
| 2009-02-16 |
ROHM发布高耐压MOSFET“F系列” |
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ROHM日前宣布研发出高耐压功率MOSFET“F系列”，适用于液晶电视(LCD TV)的背光模块转换器(Inverter)、照明用转换器(Inverter)﹑马达驱动器及切换式电源等使用桥式电路的各种应用。 |
| 2009-02-03 |
Vishay发布背面绝缘的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB |
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日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。 |
| 2009-01-22 |
Alpha & Omega Semiconductor(AOS)推出11款500伏额定电压MOSFET |
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Alpha & Omega Semiconductor公司(AOS)日前宣布发行11款500伏额定电压的MOSFET产品。这标志着AOS不断壮大的高压MOSFET产品组合的 重大扩展。在用于台式机、笔记本电脑、液晶电视、显示器和荧光灯照明应用等的一系列交直流电源和适配器上，新型500伏设备均有用武之地 |
| 2009-01-12 |
Vishay推出190V N通道功率MOSFET SiA850DJ，带同体封装 |
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日 前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界首款带有同体封装的 190V 功率二极管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封装的 SiA850DJ 还是在 1.8V VGS 时具有导通电阻额定值的业界首款此类器件。 |
| 2008-12-30 |
Vishay新推TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP |
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日 前，Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用 SO-8 封装，具有 ±20-V 栅源极电压以及业内最低的导通电阻。 |
| 2008-12-26 |
IR推基准MOSFET系列，将封装电流额定值提升了60% |
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国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。 |
| 2008-12-26 |
Diodes扩展IntelliFET系列推自保护式MOSFET，节省85%空间 |
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Diodes 公司扩展其IntelliFET产品系列，推出据称是最小的完全自我保护式低端MOSFET。该ZXMS6004FF组件采用2.3 x 2.8毫米的扁平式SOT23F封装，比其它采用7.3 x 6.7毫米SOT223封装的大型组件节省85%的电路板空间。 |
| 2008-12-23 |
AnalogicTech MOSFET驱动器系列新增高压DC-DC转换器AAT4910 |
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研诺逻辑科技有限公司(AnalogicTech)宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V, 其半桥双金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)驱动器可提供业界同类多相DC-DC转换器中的最低阻抗。 |
| 2008-12-19 |
瑞萨新款R2J20651NP整合驱动器MOSFET供电效率达96.5% |
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瑞萨科技(Renesas)推出新R2J20651NP整合驱动器MOSFET，封装尺寸仅6mm x 6mm，是针对PC及服务器之CPU与DDR类型SDRAM电源供应所设计，可达到最高96.5%供电效率。 |
| 2008-12-18 |
Vishay推出20V n通道功率MOSFET肖特基二极管SiB800EDK |
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日 前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出业界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二极管 --- SiB800EDK ，该器件采用 1.6mm×1.6mm 的热增强型 PowerPAK SC-75 封装。这款新型器件的推出，意味着 Vishay将其在 100 mA 时具有 0.32V 低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V 栅极驱动时规定的额定导通电阻的 MOSFET 进行了完美结合。 |
| 2008-12-15 |
NEC推2款功率MOSFET mPA2745/mPA2749，用于电脑DC/DC转换器 |
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NEC电子日前推出2款适用于电脑中DC/DC转换器用的功率MOSFET产品，并以“mPA2745”、“mPA2749”的品名于即日起提供样品。作为该系列的扩充产品，该2款产品成功将电力损耗最低降低3%。 |
| 2008-12-12 |
Vishay第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技术 |
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日 前，Vishay Intertechnology推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 |
| 2008-12-10 |
Linear发布100V同步MOSFET驱动器LTC4444-5的升级版本 |
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凌 力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本，该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器，以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。该驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特诸多 DC/DC 控制器中的一款组合起来，形成了一个完整的高效率同步稳压器。 |
| 2008-11-21 |
安森美扩充中等电压功率MOSFET系列推出8款新器件 |
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安 森美半导体(ON Semiconductor)推出8款新的MOSFET器件，专门为中等电压开关应用而设计。这些MOSFET非常适用于直流马达驱动、LED驱动器、电 源、转换器、脉宽调制(PWM)控制和桥电路中，这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域(SOA)，安森美半导体的新MOSFET器件提供额外的安全 裕量，免应用受未预料的电压瞬态影响。 |
| 2008-11-18 |
Diodes扩展旗下功率MOSFET系列，优化低压操作 |
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Diodes Incorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵 盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MOSFET。 |
| 2008-11-18 |
飞兆最薄尺寸采用CSP封装的P沟道MOSFET器件FDZ391P只有0.4mm |
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飞 兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出采用1 x 1.5 x 0.4mm WL-CSP封装的单一P沟道MOSFET器件FDZ391P，能满足便携应用对外型薄、电能和热效率高的需求。FDZ391P采用飞兆半导体的1.5V 额定电压PowerTrench工艺设计，结合先进的WL-CSP封装，将RDS(ON)和所需的PCB空间减至最小。 |
| 2008-11-17 |
Intersil推MOSFET驱动器ISL6622/A/B，为英特尔VR11.1系统提供最高轻负载效率 |
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全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司日前宣布，推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器，为英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。 |
| 2008-11-10 |
IR发布具基准低导通电阻沟道型HEXFET功率MOSFET系列 |
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国 际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出具有基准低通态电阻 (RDS (on)) 的沟道型HEXFET功率MOSFET系列。这些采用TO-247封装的MOSFET适用于同步整流、动态ORing及包括高功率DC马达、DC-AC转 换器及电动工具等工业应用。 |
| 2008-11-05 |
Vishay发表具有8?.25nC导通电阻的功率MOSFET SiR476DP |
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Vishay推出新型25V N信道组件SiR476DP，扩展其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的组件而言，该组件具有最低导通电阻以及导通电阻与闸极电荷乘积。 |
| 2008-11-04 |
评析MOSFET现状，探讨中国MOSFET本土企业面临的机遇及挑战 |
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2007年消费电子、计算机领域中整机产量增速放缓导致市场对于MOSFET产品需求量增长率较2006年有所下降。2007年中国MOSFET市场需求量达到171.2亿个，比2007年增长19.5%。 |
| 2008-11-03 |
基于MOSFET内部结构设计优化的驱动电路 |
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本 文介绍了MOSFET内部的单元结构以及单元结构的RC网络电路模型；讨论了基于MOSFET单元结构所固有的内在特性对MOSFET开关过程的影响，从 而分析了驱动功率MOSFET时应该注意的细节。同时本文还介绍了功率MOSFET热不稳定性的问题，并通过电动车控制器实例阐述了MOSFET局部过热 问题。 |
| 2008-10-27 |
国半推出多款全新SIMPLE SWITCHER控制器及业界首套MOSFET筛选工具 |
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美 国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)宣布推出一系列全新的 SIMPLE SWITCHER同步降压控制器。与此同时，该公司还推出了业界首套端到端MOSFET的筛选工具，可有效的协助工程师精简开关控制器的设计。 |
| 2008-10-09 |
Vishay发布30V单片功率MOSFET和萧特基二极管SkyFET SiE726DF |
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Vishay Intertechnology推出首款采用具双面冷却功能之PolarPAK封装的30V单片功率MOSFET和萧特基二极管──SkyFET SiE726DF，可在具有强迫通风冷却功能的系统中高性能运作，并可提升高电流、高频运用的效率。 |
| 2008-10-08 |
意法推出具优异导通性SuperMESH3功率MOSFET |
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功率半导体世界领先厂商意法半导体进一步提高照明镇流器功率MOSFET晶体管的耐受能力、开关性能和能效，功率MOSFET被用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保晶体管具有更高的能效。 |
| 2008-09-12 |
Linear推出具集成功率MOSFET和检测电阻的2A热插拔控制器LTC4217 |
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凌 力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A 集成式热插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4217，该器件用于保护负载电源电压范围为 2.9V 至 26.5V 的低功率电路板。像其它热插拔器件一样，通过限制加电时负载电源的浪涌电流，LTC4217 允许电路板安全地从带电背板插入和拔出。 |
| 2008-09-12 |
MagnaChip推出互补型N-P通道MOSFET系列适合液晶显示 |
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为大量消费应用产品提供模拟和混合信号半导体产品的领先供应商 MagnaChip Semiconductor Ltd. 今天宣布推出用于液晶 (LCD) 电视和液晶显示器背照灯元件的新型节能 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）系列。 |
| 2008-09-11 |
CPU供电的MOSFET自举驱动电路设计 |
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通过对商用计算机CPU供电电路功率管耐压30V MOSFET的寄生参数的研究和试验，设计了一个250KHz开关频率下的自举推挽驱动电路和门极快速放电回路，推挽电路阻抗小，类恒流源性质，驱动能力强，减少了门极驱动损耗，增强了MOSFET抗干扰能力。 |
| 2008-09-02 |
应用零电压MOSFET设计常开负载开关降低功耗 |
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随着供电电压的降低和绿色能源的普及，设计者应该重新检查电路中持续耗电的部分，从而降低整个系统的能耗。需要持续供电的“常开”（ normally-ON）电路，现在可以通过一些新的器件来重新设计，以减少能量的浪费。 |
| 2008-08-27 |
Vishay发布PowerPAK SC-75封装p沟道功率MOSFET系列 |
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日 前，Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封装的 p 通道功率MOSFET系列，该系列包括额定电压介于 8V～30V 的多个器件，这些是采用此封装类型的首批具有上述额定电压的器件，包括首款-12V (SiB419DK) 及 -30V (SiB415DK) 单 p 通道功率MOSFET。 |
| 2008-08-20 |
瑞萨新推Dual-Type功率MOSFET RJK0383DPA，提升电源供应输出电流 |
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瑞 萨科技(Renesas)推出Dual-Type功率的MOSFET RJK0383DPA，结合两个不同类型的功率MOSFET组成同步整流DC/DC转换器，并采用低耗损且先进的第十代制程，提供91.6%的电源供应效 率，约可提高7%的电源供应效率。相较于瑞萨科技旧款的Dual-Type产品，在电源供应输出电流方面增加约为两倍，且安装尺寸仅有二分之一。 |
| 2008-08-15 |
PAM新推内置MOSFET管并输出30瓦的高功率LED驱动器PAM2842 |
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PAM(Power Analog Microelectronics)公司, 一家研发创新D类数字音频功放和高功率LED显示驱动器芯片公司,今天发布她的第一个具有内置MOSFET高压30瓦的LED驱动器,这个驱动器是采用台 积电（TSMC）的双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺而制成的。 |
| 2008-08-07 |
功率MOSFET教程(第二部分) |
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众 所周知，由于采用了绝缘栅，功率MOSFET器件只需很小的驱动功率，且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS (on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率MOSFET的特性，并为器件选择提供指导。最后，解释了Microsemi公司 Advanced Power Technology (ATP) MOSFET的数据表。 |
| 2008-07-25 |
Maxim发布高压高速MOSFET驱动器MAX15018/19 |
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Maxim 推出高压、高速MOSFET驱动器MAX15018/MAX15019，用于驱动高边和低边n沟道MOSFET。器件具有高端(HS)引脚，允许高达 125V的输入电压，该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼 容，理想用于必须承受100V或更高瞬态电压的电信电源产品中，保证足够的安全裕量。 |
| 2008-07-25 |
瑞萨推出双类型功率MOSFET RJK0383DPA，提高DC/DC转换效率 |
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瑞 萨科技公司（Renesas Technology Corp.）近日宣布，推出用于笔记本电脑和通信设备等产品的存储器或ASIC同步整流DC/DC转换器的RJK0383DPA双类型功率MOSFET。 该器件可以实现更高的电源效率。样品将从2008年10月开始在日本交付。 |
